Նվիրատվություններ Սեպտեմբերի 15 2024 – Հոկտեմբերի 1 2024
Դրամահավաքի մասին
գրքերի որոնում
գրքեր
Նվիրատվություններ:
71.1% իրականացված է
Մուտք գործել
Մուտք գործել
մուտք գործելուց հետո օգտատերերին հասանելի են․
անհատականացված առաջարկություններ
Telegram բոտ
ներբեռնումների պատմությունը
էլ. փոստին կամ Kindle-ին ուղարկումը
հավաքածուների կառավարումը
ընտրյալներին պահպանումը
Անձնական
Գրքերի հարցումներ
Ուսումնասիրում
Z-Recommend
Գրքերի հավաքածու
Ամենահայտնի
Կատեգորիաներ
Մասնակցություն
Աջակցել
Ներբեռնումներ
Litera Library
Նվիրաբերել թղթե գրքեր
Ավելացնել թղթե գրքեր
Search paper books
Իմ LITERA Point-ը
Բանալի բառերի որոնում
Main
Բանալի բառերի որոնում
search
1
Germanium: Properties, Production and Applications: Properties, Production and Applications
Nova Science Publishers, Incorporated
Regina V. Germanno
germanium
incorporated
defects
figure
phys
reserved
oxygen
glpc
induced
sample
samples
temperature
atoms
generation
silicon
observed
crystals
electron
dose
absorption
irradiation
noise
interstitial
levels
structures
spectra
signal
density
optical
films
detectors
traps
crystal
growth
donor
reported
thermal
experimental
atom
surface
c60
e‘ge
concentrations
obtained
background
vacancy
shown
related
theoretical
fullerene
Տարի:
2011
Լեզու:
english
Ֆայլ:
PDF, 20.44 MB
Ձեր թեգերը:
0
/
0
english, 2011
2
Фотоэлектрические свойства наноструктур GeSi/Si
Филатов Д.О.
,
Исаков М.А.
,
Круглова М.В.
gesi
островков
рис
роста
phys
наноостровков
методом
области
слоя
носителей
основе
поверхности
наноостровками
состояний
спектра
энергии
островках
фпэ
дырок
млэ
appl
гетероструктур
структур
электронов
подложки
dge
geh4
островки
типа
плотность
спектров
структуры
связи
островками
шоттки
зависимость
поглощения
процессе
gexsi1
проводимости
барьера
гфэ
зависимости
переходов
спектры
дислокаций
зоне
оптических
островка
слое
Լեզու:
russian
Ֆայլ:
PDF, 3.79 MB
Ձեր թեգերը:
0
/
0
russian
3
Рост Ge(Si) самоформирующихся наноотростков на подложках Si(001) методом молекулярно пучковой эпитаксии
Лобанов Д.Н.
,
Новиков А.В.
,
Шалеев М.В.
роста
островков
поверхности
напряжений
упругих
пленки
энергии
происходит
рис
подложки
счет
островка
приводит
температуры
поверхностной
материала
островки
камеры
релаксация
релаксации
димеров
крастанова
механизму
странского
температурах
увеличение
образование
осаждения
системы
слоя
уменьшению
носителей
образования
параметров
пленке
результате
gexsi1
зависимости
заряда
самоформирующихся
структур
типа
увеличением
уменьшение
gesi
атомов
дивакансий
количества
островках
плотности
Լեզու:
russian
Ֆայլ:
PDF, 421 KB
Ձեր թեգերը:
0
/
0
russian
1
Հետևեք
այս հղմանը
կամ որոնեք @BotFather բոտը Telegram-ում
2
Ուղարկեք /newbot հրամանը
3
Նշեք ձեր բոտի անունը
4
Նշեք բոտի օգտատիրոջ անունը
5
Պատճենեք վերջին հաղորդագրությունը BotFather-ից և տեղադրեք այն այստեղ
×
×